الصفحة الرئيسية
عن العمادة
الرؤية والرسالة
الهيكل التنظيمي
الدراسات العليا بجامعة الملك عبد العزيز
الخدمات البحثية والدورات
وحدة الخدمات البحثية
ابحاث مهمة للمجتمع
خدمات العمادة
أسئلة متكررة
الأبحاث
دليل المنسوبين
مواقع مفضلة
دعم الطلاب
خريطة الوصول للعمادة
آلية توزيع الاستبانات
جوائز الدراسات العليا
التقديم على الجوائز
الفائزون بالجوائز للعام الجامعي 1440
منسوبو العمادة
دليل الموظفين
تواصل معنا
عربي
English
عن الجامعة
القبول
الأكاديمية
البحث والإبتكار
الحياة الجامعية
الخدمات الإلكترونية
صفحة البحث
عمادة الدراسات العليا
تفاصيل الوثيقة
نوع الوثيقة
:
رسالة جامعية
عنوان الوثيقة
:
دراسة نظرية لتطعيم مركب أكسيد الزنك متناهي الصغر بعنصر المنجنيز
Theoretical Investigation Of Mn-Doped ZnO Nanostructure
الموضوع
:
كلية العلوم - قسم الفيزياء
لغة الوثيقة
:
العربية
المستخلص
:
يخضع تطوير أشباه الموصلات المغناطيسية المخففة حاليًا للدراسة بسبب إمكانية استخدامها في أجهزة الإلكترونيات المغزلية؛ إذ إن هذه الأجهزة مثيرة للاهتمام بسبب السلوك المغناطيسي للمواد غير المغناطيسية المطعمة بالفلزات الانتقالية. المعالجات النظرية الحديثة تتنبأ بأن أشباه الموصلات التي لها نطاق فجوة واسع - بما في ذلك أكسيد الزنك - يمكن أن تظهر صفات مغناطيسية عندما تطعم بالفلزات الانتقالية. هذه الدراسة تركِّز على إمكانية استخدام أكاسيد أشباه الموصلات ذوات نطاق الفجوة الواسع - بما فيها أكسيد الزنك - موادَ للإلكترونيات المغزلية. دُرستْ الخصائص التركيبية والمغناطيسية والإلكترونية لأكسيد الزنك غير المطعم والمطعم بالمنجنيز باستخدام نظرية دالة الكثافة وطريقة الجهد الزائف للموجة المستوية. ولقد تم إجراء الحسابات الأولية للتحقق من الخصائص التركيبية والإلكترونية لبنية أكسيد الزنك. لقد كشفت الحسابات الحالية - على عكس الدراسات السابقة - أن الرابطة بين الزنك والأكسجين ذات طبيعة أيونية نقية بدون أي نسبة تساهمية. كما وجد أن أعلى المستويات المشغولة وأقل المستويات غير المشغولة تنشأ من مدارات p من ذرات الزنك، مما يشير إلى وجود طريقة مختلفة لانتقال الشحنة بين ذرتي الزنك والأكسجين. لقد دُرستْ الخصائص الأساسية التركيبية والإلكترونية لبنية أكسيد الزنك وقُورنتْ بالدراسات الأخرى. كما تحققتْ الدراسة من الخصائص التركيبية والمغناطيسية والإلكترونية لبنية أكسيد الزنك المطعم بالمنجنيز باستخدام التقريب GGA لنظرية دالة الكثافة. وجد أن ذرة المنجنيز تفضل أن تحل محل إحدى ذرات الزنك. تشير الحسابات التي استُخدم فيها جهد هابرد إلى تغيرات متنوعة وتعديلات في خصائص أكسيد الزنك المطعم بالمنجنيز كما تبين أن تركيب النطاق الالكتروني في النظام نصف معدني؛ فهو معدني في حالة الغزل العلوي وشبه موصل في حالة الغزل السفلي. كما عُدِّلَ العزم المغناطيسي للنظام إذ يمكن تفسير السيناريو الإلكتروني لنظام أكسيد الزنك المطعم بالمنجنيز بالسيناريو 3d5+ acceptor states. خلصت الدراسة إلى أن أكسيد الزنك المطعم بالمنجنيز شبه موصل مغناطيسي مخفف.
المشرف
:
أ.د. خورشيد اطهر صديقي
نوع الرسالة
:
رسالة ماجستير
سنة النشر
:
1434 هـ
2013 م
تاريخ الاضافة على الموقع
:
Saturday, June 15, 2013
الباحثون
اسم الباحث (عربي)
اسم الباحث (انجليزي)
نوع الباحث
المرتبة العلمية
البريد الالكتروني
غادة سعيد الغامدي
Al Ghamdi, Ghadah Saeed
باحث
ماجستير
الملفات
اسم الملف
النوع
الوصف
35646.pdf
pdf
الرجوع إلى صفحة الأبحاث