الصفحة الرئيسية
عن الكلية
عمادة الكلية
كلمة عميد الكلية
نبذة عن العمادة
العمداء السابقون
وكالات الكلية
وكالة الكلية
كلمة وكيل الكلية
نبذة عن وكالة الكلية
وكالة الكلية للدراسات العليا
كلمة وكيل الكلية للدراسات العليا
نبذة عن وكالة الكلية للدراسات العليا
الأنشطة العلمية
وحدة ريادة الأعمال
وحدة الجودة والتطوير
شعبة الإعتماد الأكاديمي
شعبة الجودة
شعبة القياس والتقويم
شعبة التدريب وتطوير الموارد البشرية
وكالة الكلية (شطر الطالبات)
إدارة الكلية
كلمة مدير الإدارة
كلمة مديرة الإدارة
إدارة الكلية شطر الطلاب
إدارة الكلية شطر الطالبات
الخطة الاستراتيجية
الشؤون التعليمية
مواقع التدريب التفاعلي
البحث العلمي
الأبحاث
مجلة كلية العلوم
تواصل معنا
الملفات
عربي
English
عن الجامعة
القبول
الأكاديمية
البحث والإبتكار
الحياة الجامعية
الخدمات الإلكترونية
صفحة البحث
كلية العلوم
تفاصيل الوثيقة
نوع الوثيقة
:
مقال في مجلة دورية
عنوان الوثيقة
:
Influence of illumination intensity and temperature on the electrical characteristics of an Al/pGaAs/ In structure prepared by thermal evaporation
Influence of illumination intensity and temperature on the electrical characteristics of an Al/pGaAs/ In structure prepared by thermal evaporation
الموضوع
:
physics
لغة الوثيقة
:
الانجليزية
المستخلص
:
The temperature and illumination intensity dependence of currentvoltage (IV) and capacitancevoltage (CV) characteristics of the Al/pGaAs barrier diode were investigated. The ideality factor (n) and zerobias barrier height (Phi(b0)) were found to be strongly temperature dependent and while Phi(b0) is decreased, n is increased with decreasing temperature and illumination. The reverse biased IV measurements under various illuminations exhibited a high photosensitivity. The values of Rs obtained from Cheung's method are decreased with increasing illumination intensity. The interface capacitance of the diode is increased with the increase of illumination intensities. The profiles of interface state density (Nss) distribution as a function of (EssE) were extracted from the forward IV measurements by taking into account the bias dependence of the effective barrier heights (phi(e)) for device under dark, illumination and temperature conditions. Furthermore, modified Richardson plot has a good linearity over the investigated temperature range. As a result, the electrical characteristics of diode are affected not only in illumination but also in temperature. It is evaluated that the prepared diode can be used as photocapacitance sensor in modern electronic and optoelectronic devices
ردمد
:
01679317
اسم الدورية
:
MICROELECTRONIC ENGINEERING
المجلد
:
99
العدد
:
1
سنة النشر
:
1433 هـ
2012 م
نوع المقالة
:
مقالة علمية
تاريخ الاضافة على الموقع
:
Saturday, July 22, 2017
الباحثون
اسم الباحث (عربي)
اسم الباحث (انجليزي)
نوع الباحث
المرتبة العلمية
البريد الالكتروني
M (Soylu
(Soylu, M
باحث رئيسي
دكتوراه
A.A AlGhamd
AlGhamd, A.A
باحث مشارك
دكتوراه
F Yakuphanoglu
Yakuphanoglu, F
باحث مشارك
دكتوراه
fyhanoglu@firat.edu.tr
الملفات
اسم الملف
النوع
الوصف
42163.pdf
pdf
الرجوع إلى صفحة الأبحاث