تفاصيل الوثيقة

نوع الوثيقة : مقال في مجلة دورية 
عنوان الوثيقة :
Improved electrical and photosensing properties of CuPc phtalocyanine/p-silicon diode by nanostructure
Improved electrical and photosensing properties of CuPc phtalocyanine/p-silicon diode by nanostructure
 
الموضوع : PHYSICS 
لغة الوثيقة : الانجليزية 
المستخلص : The electrical and photovoltaic properties of metal/nanostructure CuPc phtalocynine organic layer /semiconductor diode have been investigated. The diode indicated a good rectifying behavior with non-linear behavior due to the organic and inorganic interfacial layers. The barrier height (0.77 eV) and ideality factor (1.99) of the studied diode is higher than that of conventional Al/p-Si Schottky diode. This indicates that barrier height could be increased by using CuPc phtalocynine organic layer on p-type silicon by changing the space charge region of p-type silicon. The photovoltaic parameters of the diode were found to be Voc=0.25 and J(sc)=607.2 mu A under AM1.5. The obtained results indicate that the barrier height of conventional Al/p-Si Schottky diode can be increased by organic modification and metal/nanostructure CuPc/semiconductor diode can be used for optoelectronic device applications as a photosensor. 
ردمد : 1454-4164 
اسم الدورية : JOURNAL OF OPTOELECTRONICS AND ADVANCED MATERIALS 
المجلد : 14 
العدد : 9-10 
سنة النشر : 1433 هـ
2012 م 
نوع المقالة : مقالة علمية 
تاريخ الاضافة على الموقع : Sunday, July 23, 2017 

الباحثون

اسم الباحث (عربي)اسم الباحث (انجليزي)نوع الباحثالمرتبة العلميةالبريد الالكتروني
M CavasCavas, M باحث رئيسيدكتوراه 
M. Enver AydinAydin, M. Enver باحث مشاركدكتوراه 
A.A Al-Ghamdi,Al-Ghamdi,, A.A باحث مشاركدكتوراه 
Omar A (Al-Hartomy(Al-Hartomy, Omar A باحث مشاركماجستير 
Farid El-TantawyEl-Tantawy, Farid باحث مشاركدكتوراه 
F YakuphanogluYakuphanoglu, F باحث مشاركدكتوراهfyhanoglu@firat.edu.tr

الملفات

اسم الملفالنوعالوصف
 42180.pdf pdf 

الرجوع إلى صفحة الأبحاث