تفاصيل الوثيقة نوع الوثيقة : مقال في مجلة دورية  عنوان الوثيقة : The electrical characterization of ZnO/GaAs heterojunction diode The electrical characterization of ZnO/GaAs heterojunction diode   الموضوع : physics  لغة الوثيقة : الانجليزية  المستخلص : The electrical characteristics of sol-gel synthesized n-ZnO/p-GaAs heterojunction were reported. The values of barrier height and ideality factor for n-ZnO/p-GaAs heterojunction diode were determined to be 0.61 eV and 1.83, respectively. The I-V characteristics of the heterojunction diode exhibit a non-ideal behavior. The ideality factor which is greater than unity was attributed to the series resistance, interface states and interfacial layer. The modified Norde's function combined with conventional forward I-V method was used to obtain the parameters including the series resistance and barrier height (BH). The capacitance-voltage (C-V) measurements were performed in the range of 100 kHz to 1 MHz. The interface distribution profile (D-it) as a function of bias voltage was extracted from the C-V and G(adj)-V characteristics. The interface state density of n-ZnO/p-GaAs diode is of the order of 10(13) eV(-1) cm(-2). Also, the I-V characteristics of n-ZnO/p-GaAs heterojunction diode were investigated in the temperature range of 293-393 K.  ردمد : 1386-9477  اسم الدورية : PHYSICA E-LOW-DIMENSIONAL SYSTEMS & NANOSTRUCTURES  المجلد : 64  العدد : 11  سنة النشر : 1435 هـ 2014 م  نوع المقالة : مقالة علمية  تاريخ الاضافة على الموقع : Thursday, July 27, 2017  الباحثون اسم الباحث (عربي) اسم الباحث (انجليزي) نوع الباحث المرتبة العلمية البريد الالكتروني M Soylu Soylu, M باحث رئيسي دكتوراه soylum74@yahoo.com A.A Al-Ghamdi, Al-Ghamdi, A.A باحث مشارك دكتوراه   Omar A Al-Hartomy Al-Hartomy, Omar A باحث مشارك دكتوراه   Farid El-Tantawy El-Tantawy, Farid باحث مشارك دكتوراه   F Yakuphanoglu Yakuphanoglu, F باحث مشارك دكتوراه   الملفات اسم الملف النوع الوصف  42304.pdf pdf   الرجوع إلى صفحة الأبحاث