الصفحة الرئيسية
عن الكلية
عمادة الكلية
كلمة عميد الكلية
نبذة عن العمادة
العمداء السابقون
وكالات الكلية
وكالة الكلية
كلمة وكيل الكلية
نبذة عن وكالة الكلية
وكالة الكلية للدراسات العليا
كلمة وكيل الكلية للدراسات العليا
نبذة عن وكالة الكلية للدراسات العليا
الأنشطة العلمية
وحدة ريادة الأعمال
وحدة الجودة والتطوير
شعبة الإعتماد الأكاديمي
شعبة الجودة
شعبة القياس والتقويم
شعبة التدريب وتطوير الموارد البشرية
وكالة الكلية (شطر الطالبات)
إدارة الكلية
كلمة مدير الإدارة
كلمة مديرة الإدارة
إدارة الكلية شطر الطلاب
إدارة الكلية شطر الطالبات
الخطة الاستراتيجية
الشؤون التعليمية
مواقع التدريب التفاعلي
البحث العلمي
الأبحاث
مجلة كلية العلوم
تواصل معنا
الملفات
عربي
English
عن الجامعة
القبول
الأكاديمية
البحث والإبتكار
الحياة الجامعية
الخدمات الإلكترونية
صفحة البحث
كلية العلوم
تفاصيل الوثيقة
نوع الوثيقة
:
مقال في مجلة دورية
عنوان الوثيقة
:
A new aluminum iron oxide Schottky photodiode designed via sol-gel coating method
A new aluminum iron oxide Schottky photodiode designed via sol-gel coating method
الموضوع
:
physics
لغة الوثيقة
:
الانجليزية
المستخلص
:
A novel aluminum iron oxide (Al/AlFe2O4/p-Si) Schottky photodiode was successfully fabricated via the sol-gel coating process. The microstructure of the spinel ferrite (AlFe2O4) was examined by atomic force microscopy. The current-voltage characteristics of the fabricated photodiode were studied under dark and different illumination conditions at room temperature. By using the thermionic emission theory, the forward bias I-V characteristics of the photodiode are analyzed to determine the main electrical parameters such as the ideality factor (n) and barrier height (Phi(B0)) of the photodiode. The values of n and Phi(B0) for all conditions are found to be about 7.00 and 0.76 eV, respectively. In addition, the values of series resistance (R-s) are determined using Cheung's method and Ohm's law. The values of Rs and shunt resistance (R-sh) are decreased with the increase of illumination intensity. These new spinel ferrites will open a new avenue to other spinel structure materials for optoelectronic devices in the near future
ردمد
:
1674-1056
اسم الدورية
:
CHINESE PHYSICS B
المجلد
:
23
العدد
:
5
سنة النشر
:
1435 هـ
2014 م
نوع المقالة
:
مقالة علمية
تاريخ الاضافة على الموقع
:
Wednesday, August 2, 2017
الباحثون
اسم الباحث (عربي)
اسم الباحث (انجليزي)
نوع الباحث
المرتبة العلمية
البريد الالكتروني
A Tataroglu
Tataroglu, A
باحث رئيسي
دكتوراه
A.A Hendi
Hendi, A.A
باحث مشارك
دكتوراه
A.A Al Orainy
Al Orainy, A.A
باحث مشارك
دكتوراه
F Yakuphanoglu
Yakuphanoglu, F
باحث مشارك
دكتوراه
الملفات
اسم الملف
النوع
الوصف
42410.pdf
pdf
الرجوع إلى صفحة الأبحاث