تفاصيل الوثيقة

نوع الوثيقة : مقال في مجلة دورية 
عنوان الوثيقة :
Photoelectrical characterization of a new generation diode having GaFeO3 interlayer
Photoelectrical characterization of a new generation diode having GaFeO3 interlayer
 
الموضوع : physics 
لغة الوثيقة : الانجليزية 
المستخلص : In this work, we have systematically investigated the effects of illumination intensity on the electrical characteristics of GaFeO3/p-Si heterostructure. The current-voltage (I-V) measurements of the heterostructure based on GaFeO3 thin film were performed in dark and under different illumination intensities. The photocurrent in the reverse biased I-V measurement is strongly sensitive to photoillumination. The ideality factor (n) and zero-bias barrier height (phi(bo)) were found to be strongly illumination dependent and while ON decreases, n increases with decreasing illumination. From capacitance-voltage (C-V) characteristics, it has been seen that the capacitance decreases as the frequency increases, exhibiting a continuous distribution of the interface states at frequency range 10 kHz to 1 MHz. The interface state density was determined by conductance method for dark conditions. It is believed that the combination of p-Si and thin GaFeO3 layer will provide new opportunities as a photodiode sensor for visible light sensor applications 
ردمد : 0927-0248 
اسم الدورية : SOLAR ENERGY MATERIALS AND SOLAR CELLS 
المجلد : 124 
العدد : 1 
سنة النشر : 1435 هـ
2014 م 
نوع المقالة : مقالة علمية 
تاريخ الاضافة على الموقع : Wednesday, August 2, 2017 

الباحثون

اسم الباحث (عربي)اسم الباحث (انجليزي)نوع الباحثالمرتبة العلميةالبريد الالكتروني
Murat SoyluSoylu, Murat باحث رئيسيدكتوراهfizik.07@hotmail.com
M CavasCavas, M باحث مشاركدكتوراه 
A.A Al-Ghamdi,Al-Ghamdi, A.A باحث مشاركدكتوراه 
Z.H GaferGafer, Z.H باحث مشاركدكتوراه 
F El-TantawyEl-Tantawy, F باحث مشاركدكتوراه 
F YakuphanogluYakuphanoglu, F باحث مشاركدكتوراه 

الملفات

اسم الملفالنوعالوصف
 42411.pdf pdf 

الرجوع إلى صفحة الأبحاث