تفاصيل الوثيقة

نوع الوثيقة : مقال في مجلة دورية 
عنوان الوثيقة :
Improvement of photoresponse properties of NiO/p-Si photodiodes by copper dopant
Improvement of photoresponse properties of NiO/p-Si photodiodes by copper dopant
 
الموضوع : physics 
لغة الوثيقة : الانجليزية 
المستخلص : Sol-gel spin coating technique was used to fabricate undoped and Cu doped NiO films. The effects of Cu doping on the optical properties of NiO films were investigated. The optical band gap value of the NiO films was decreased with increase in Cu doping level. The band gap values for 0.1 at%, 0.2 at%, 1.0 at%, and 2.0 at% Cu doped NiO films were 3.74 eV, 3.69 eV, 3.68 eV, and 3.67 eV, respectively. The junction and photoconducting properties of the Al/Cu-NiO/p-Si/Al device were studied that I-on/I-off value of the Al/Cu-NiO/p-Si/Al device firstly increases with increase in Cu doping level up to 0.2% of Cu and then decreases with further increase in the Cu doping level. The transient photocurrent measurement indicated that photocurrent under illumination was higher than the dark current and transient photocurrent increases with increase in light intensity. The C-V characteristics of the diode were also investigated at different frequencies. The observed behavior of the diodes was explained on the basis of the interface states 
ردمد : 1386-9477 
اسم الدورية : PHYSICA E-LOW-DIMENSIONAL SYSTEMS & NANOSTRUCTURES 
المجلد : 56 
العدد : 1 
سنة النشر : 1435 هـ
2014 م 
نوع المقالة : مقالة علمية 
تاريخ الاضافة على الموقع : Thursday, August 3, 2017 

الباحثون

اسم الباحث (عربي)اسم الباحث (انجليزي)نوع الباحثالمرتبة العلميةالبريد الالكتروني
R.K Gupta,Gupta,, R.K باحث رئيسيدكتوراه 
A.A HendiHendi, A.A باحث مشاركدكتوراه 
M CavasCavas, M باحث مشاركدكتوراه 
A.A Al-Ghamdi,Al-Ghamdi, A.A باحث مشاركدكتوراه 
Omar A Al-HartomyAl-Hartomy, Omar A باحث مشاركدكتوراه 
R. H. Alorainy,Alorainy,, R. H. باحث مشاركدكتوراه 
F El-TantawyEl-Tantawy, F باحث مشاركدكتوراه 
E. YakuphanogluYakuphanoglu, E. باحث مشاركدكتوراهfyhanoglu@firat.edu.tr

الملفات

اسم الملفالنوعالوصف
 42455.pdf pdf 

الرجوع إلى صفحة الأبحاث