تفاصيل الوثيقة

نوع الوثيقة : مقال في مجلة دورية 
عنوان الوثيقة :
Thermally activated conductivity of Si hybrid structure based on ZnPc thin film
Thermally activated conductivity of Si hybrid structure based on ZnPc thin film
 
الموضوع : physics 
لغة الوثيقة : الانجليزية 
المستخلص : In this study, an analysis of temperature-dependent electrical characteristics of ZnPc/p-Si structure has been presented. Conduction mechanisms that are accounted for the organic/inorganic devices are evaluated. At low forward voltage, current-voltage (I-V) characteristics show ohmic behavior, limiting extraction of holes from p-Si over the ZnPc/p-Si heterojunction. Thermally activated conduction mechanism appears to be space-charge-limited conduction mechanism, taking into account the presence of an exponential trap distribution with total concentration of traps, N-t of 5.77 x 10(25) m(-3). The series resistance is found to be temperature dependent. There is a critical point on the regime of series resistance at 200 K. The capacitance varies with temperature at different rates below and above room temperature, indicating a variation in the dielectric constant. 
ردمد : 0947-8396 
اسم الدورية : APPLIED PHYSICS A-MATERIALS SCIENCE & PROCESSING 
المجلد : 122 
العدد : 10 
سنة النشر : 1437 هـ
2016 م 
نوع المقالة : مقالة علمية 
تاريخ الاضافة على الموقع : Tuesday, August 8, 2017 

الباحثون

اسم الباحث (عربي)اسم الباحث (انجليزي)نوع الباحثالمرتبة العلميةالبريد الالكتروني
M SoyluSoylu, m باحث رئيسيدكتوراهsoylum74@yahoo.com
A.A Al-Ghamdi,Al-Ghamdi, A.A باحث مشاركدكتوراه 
F YakuphanogluYakuphanoglu, F باحث مشاركدكتوراه 

الملفات

اسم الملفالنوعالوصف
 42522.pdf pdf 

الرجوع إلى صفحة الأبحاث