تفاصيل الوثيقة

نوع الوثيقة : مقال في مجلة دورية 
عنوان الوثيقة :
Development of field effect transistor based on single graphene ribbon prepared by a modified unzipping process of MWCNT
Development of field effect transistor based on single graphene ribbon prepared by a modified unzipping process of MWCNT
 
الموضوع : physics 
لغة الوثيقة : الانجليزية 
المستخلص : Here we report the synthesis of graphene ribbon by unzipping the carbon nanotubes and investigate its performance as a field effect transistor. The produced graphene ribbons were characterized by transmission electron microscopy (TEM), Raman spectroscopy, X-ray photoelectron microscopy (XPS) and atomic force microscopy (AFM). A single layer graphene ribbon with average width of 600 +/- 20 nm was obtained. This ribbon was drop casted on a silicon substrate coated by 300 nm silicon oxide layer with patterned gold electrode by lithography system. The developed single graphene FET showed very high saturation current density of 2.8A/mm, electrons mobility of 4000 cm(2)/V.s and holes mobility of 3200 cm(2)/V.s. These values are higher than the values obtained from FET based graphene prepared by CVD and chemical exfoliation methods. The enhancement of the saturation current value and obtaining high mobility for FET based on single graphene ribbon will open a new avenue to develop a new generation of FET for future applications 
ردمد : 0379-6779 
اسم الدورية : SYNTHETIC METALS 
المجلد : 217 
العدد : 1 
سنة النشر : 1437 هـ
2016 م 
نوع المقالة : مقالة علمية 
تاريخ الاضافة على الموقع : Thursday, August 10, 2017 

الباحثون

اسم الباحث (عربي)اسم الباحث (انجليزي)نوع الباحثالمرتبة العلميةالبريد الالكتروني
Waleed E MahmoudMahmoud, Waleed E باحث رئيسيدكتوراهw_e_mahmoud@yahoo.com
F.S Al-HazmiAl-Hazmi, F.S باحث مشاركدكتوراه 
A.A Al-Ghamdi,Al-Ghamdi, A.A باحث مشاركدكتوراه 
F.S ShokrShokr, F.S باحث مشاركدكتوراه 
G.W BeallBeall, G.W باحث مشاركدكتوراه 

الملفات

اسم الملفالنوعالوصف
 42568.pdf pdf 

الرجوع إلى صفحة الأبحاث