تفاصيل الوثيقة

نوع الوثيقة : مقال في مجلة دورية 
عنوان الوثيقة :
Electrical and Photoresponse Properties of CuFe1-xSnxO2/p- Si Photodiode
Electrical and Photoresponse Properties of CuFe1-xSnxO2/p- Si Photodiode
 
الموضوع : physics 
لغة الوثيقة : الانجليزية 
المستخلص : The electrical and photoresponse properties of Al/CuFe1-xSnxO2 (x = 0.03)/p-Si/Al diode were investigated using current voltage (I-V) and capacitance/conductance voltage measurements. The diodes exhibited a rectifying value with obtained electronic parameters. The barrier height value of the diode is increased with increasing temperature, while the ideality factor is decreased. The change in electronic parameters of the diode is explained on the basis of Schottky barrier height inhomogeneities at the interface. The value of C decreases with increasing frequency. The decrease was explained on the basis of interface states. The photoresponse properties of the diode was investigated under solar light and the diode exhibited a photodiode behavior at room temperature. 
ردمد : 1555-1318 
اسم الدورية : JOURNAL OF NANOELECTRONICS AND OPTOELECTRONICS 
المجلد : 11 
العدد : 3 
سنة النشر : 1437 هـ
2016 م 
نوع المقالة : مقالة علمية 
تاريخ الاضافة على الموقع : Thursday, August 10, 2017 

الباحثون

اسم الباحث (عربي)اسم الباحث (انجليزي)نوع الباحثالمرتبة العلميةالبريد الالكتروني
F.E Al-HazmiAl-Hazmi, F.E باحث رئيسيدكتوراهialhazmi@kau.edu.sa

الملفات

اسم الملفالنوعالوصف
 42574.pdf pdf 

الرجوع إلى صفحة الأبحاث