تفاصيل الوثيقة

نوع الوثيقة : مقال في مجلة دورية 
عنوان الوثيقة :
Analysis of photovoltaic behavior of Si-based junctions containing novel graphene oxide/nickel(II) phthalocyanine composite films
Analysis of photovoltaic behavior of Si-based junctions containing novel graphene oxide/nickel(II) phthalocyanine composite films
 
الموضوع : physics 
لغة الوثيقة : الانجليزية 
المستخلص : In this work, we have synthesized modified nickel(II) phthalocyanine containing graphene oxide. Our emphasis is given to understand the effect of doping on the photophysical behavior of semiconducting graphene oxide/nickel(II) phthalocyanine composite films by using I-V and C-V spectroscopy. Al-p- Si/GO:NiPc/Au structures have rectifying behavior with a high rectification ratio of 6.99 x 10(4) +/- 10 V. Photophysical properties of the device are found to be improved for graphene oxide particles due to extra electron incorporation for n-type doping (GO dopant) to modified nickel(II) phthalocyanine which favors the electron and hole transfer processes. It is seen that the incorporation of graphene oxide nanoparticles into nickel(II) phthalocyanine accelerates the electron transfer process from GO nanoparticles to nickel(II) phthalocyanine. In contrast, before GO doping in nickel(II) phthalocyanine, hole transfer process occurs 
ردمد : 0167-9317 
اسم الدورية : MICROELECTRONIC ENGINEERING 
المجلد : 154 
العدد : 1 
سنة النشر : 1437 هـ
2016 م 
نوع المقالة : مقالة علمية 
تاريخ الاضافة على الموقع : Sunday, August 13, 2017 

الباحثون

اسم الباحث (عربي)اسم الباحث (انجليزي)نوع الباحثالمرتبة العلميةالبريد الالكتروني
M SoyluSoylu, M باحث رئيسيدكتوراهsoylum74@yahoo.com
R OcayaOcaya, R باحث مشاركدكتوراه 
H Tuncer,Tuncer,, H باحث مشاركدكتوراه 
A.A Al-Ghamdi,Al-Ghamdi, A.A باحث مشاركدكتوراه 
A DereDere, A باحث مشاركدكتوراه 
D.C SariSari, D.C باحث مشاركدكتوراه 
F YakuphanogluYakuphanoglu, F باحث مشاركدكتوراهfyhan@hotmail.com

الملفات

اسم الملفالنوعالوصف
 42597.pdf pdf 

الرجوع إلى صفحة الأبحاث