تفاصيل الوثيقة

نوع الوثيقة : مقال في مجلة دورية 
عنوان الوثيقة :
Analysis of interface states of FeO-Al2O3 spinel composite film/p-Si diode by conductance technique
Analysis of interface states of FeO-Al2O3 spinel composite film/p-Si diode by conductance technique
 
الموضوع : physics 
لغة الوثيقة : الانجليزية 
المستخلص : The interface states and series resistance properties of the Al/FeO-Al2O3/p-Si diode were investigated by the capacitance (C) and conductance (G) measurements. The measured capacitance and conductance values were corrected to eliminate the effect of series resistance to obtain the real capacitance and conductance values of the diode. The C and G characteristics indicate the presence of interface states at the interface of the diode. The interface states density, N-ss, was determined using Hill-Coleman method, and it was found that the density of interface states is decreased with the frequency. The obtained results suggest that the series resistance and interface states affect significantly the electronic parameters of the Al/FeO-Al2O3/p-Si diode. 
ردمد : 0947-8396 
اسم الدورية : APPLIED PHYSICS A-MATERIALS SCIENCE & PROCESSING 
المجلد : 122 
العدد : 3 
سنة النشر : 1437 هـ
2016 م 
نوع المقالة : مقالة علمية 
تاريخ الاضافة على الموقع : Sunday, August 13, 2017 

الباحثون

اسم الباحث (عربي)اسم الباحث (انجليزي)نوع الباحثالمرتبة العلميةالبريد الالكتروني
A TatarogluTataroglu, A باحث رئيسيدكتوراهademta71@gmail.com
A.A Al-Ghamdi,Al-Ghamdi, A.A باحث مشاركدكتوراه 
F El-TantawyEl-Tantawy, F باحث مشاركدكتوراه 
W. A. FarooqFarooq, W. A باحث مشاركدكتوراه 
F YakuphanogluYakuphanoglu, F باحث مشاركدكتوراه 

الملفات

اسم الملفالنوعالوصف
 42606.pdf pdf 

الرجوع إلى صفحة الأبحاث