الصفحة الرئيسية
عن الكلية
عمادة الكلية
كلمة عميد الكلية
نبذة عن العمادة
العمداء السابقون
وكالات الكلية
وكالة الكلية
كلمة وكيل الكلية
نبذة عن وكالة الكلية
وكالة الكلية للدراسات العليا
كلمة وكيل الكلية للدراسات العليا
نبذة عن وكالة الكلية للدراسات العليا
الأنشطة العلمية
وحدة ريادة الأعمال
وحدة الجودة والتطوير
شعبة الإعتماد الأكاديمي
شعبة الجودة
شعبة القياس والتقويم
شعبة التدريب وتطوير الموارد البشرية
وكالة الكلية (شطر الطالبات)
إدارة الكلية
كلمة مدير الإدارة
كلمة مديرة الإدارة
إدارة الكلية شطر الطلاب
إدارة الكلية شطر الطالبات
الخطة الاستراتيجية
الشؤون التعليمية
مواقع التدريب التفاعلي
البحث العلمي
الأبحاث
مجلة كلية العلوم
تواصل معنا
الملفات
عربي
English
عن الجامعة
القبول
الأكاديمية
البحث والإبتكار
الحياة الجامعية
الخدمات الإلكترونية
صفحة البحث
كلية العلوم
تفاصيل الوثيقة
نوع الوثيقة
:
مقال في مجلة دورية
عنوان الوثيقة
:
A review of recent advances in transparent p-type Cu2Obased thin film transistors
A review of recent advances in transparent p-type Cu2Obased thin film transistors
الموضوع
:
physics
لغة الوثيقة
:
الانجليزية
المستخلص
:
electronics is the lack of high performance p-type semiconductor material. Cu2O in thin-film form is a potentially attractive material for such applications because of its native p-type semi-conductivity, transparency, abundant availability, non-toxic nature, and low production cost. This review summarizes recent research on using copper oxide Cu2O thin films to produce p-type transparent thin-film transistors (TFTs) and complementary metal-oxide-semiconductor (CMOS) devices. After a short introduction about the main advantages of Cu2O semiconductor material, different methods for depositing and growing Cu2O thin films are discussed. The hi-tech development, along with the associated obstacles, of the Cu2O-based thin-film transistors is reviewed, with special emphasis on those made of sputtered Cu2O films. Finally, the bilayer scheme as one of the most exciting and promising technique for both TFTs and CMOS devices will be considered
ردمد
:
1369-8001
اسم الدورية
:
MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING
المجلد
:
40
العدد
:
1
سنة النشر
:
1435 هـ
2015 م
نوع المقالة
:
مقالة علمية
تاريخ الاضافة على الموقع
:
Wednesday, August 16, 2017
الباحثون
اسم الباحث (عربي)
اسم الباحث (انجليزي)
نوع الباحث
المرتبة العلمية
البريد الالكتروني
H.A Al-Jawhari
Al-Jawhari, H.A
باحث رئيسي
دكتوراه
haljawhari@kau.edu.sa
الملفات
اسم الملف
النوع
الوصف
42645.pdf
pdf
الرجوع إلى صفحة الأبحاث