الصفحة الرئيسية
عن الكلية
عمادة الكلية
كلمة عميد الكلية
نبذة عن العمادة
العمداء السابقون
وكالات الكلية
وكالة الكلية
كلمة وكيل الكلية
نبذة عن وكالة الكلية
وكالة الكلية للدراسات العليا
كلمة وكيل الكلية للدراسات العليا
نبذة عن وكالة الكلية للدراسات العليا
الأنشطة العلمية
وحدة ريادة الأعمال
وحدة الجودة والتطوير
شعبة الإعتماد الأكاديمي
شعبة الجودة
شعبة القياس والتقويم
شعبة التدريب وتطوير الموارد البشرية
وكالة الكلية (شطر الطالبات)
إدارة الكلية
كلمة مدير الإدارة
كلمة مديرة الإدارة
إدارة الكلية شطر الطلاب
إدارة الكلية شطر الطالبات
الخطة الاستراتيجية
الشؤون التعليمية
مواقع التدريب التفاعلي
البحث العلمي
الأبحاث
مجلة كلية العلوم
تواصل معنا
الملفات
عربي
English
عن الجامعة
القبول
الأكاديمية
البحث والإبتكار
الحياة الجامعية
الخدمات الإلكترونية
صفحة البحث
كلية العلوم
تفاصيل الوثيقة
نوع الوثيقة
:
مقال في مجلة دورية
عنوان الوثيقة
:
Gamma irradiation induced effects on optical properties and single oscillator parameters of Fe-doped CdS diluted magnetic semiconductors thin films
Gamma irradiation induced effects on optical properties and single oscillator parameters of Fe-doped CdS diluted magnetic semiconductors thin films
الموضوع
:
physics
لغة الوثيقة
:
الانجليزية
المستخلص
:
Gamma radiation (100-500 kGy) induced effects on optical properties and single oscillator parameters of nanocrystalline diluted magnetic semiconductor thin films Cd1-xFexS (x=0.1, 0.15 and 0.2) with different compositions prepared by electron evaporation techniques have been studied. The optical characterization of the films has been carried out from spectral transmittance and reflectance obtained by double beam spectrophotometer in the wavelength range from 190 to 2500 nm. It is clearly shown that the direct optical band gap decreases with the increase in gamma radiation dose. This is attributed to the defect number growth. The refractive index and extinction coefficient have shown clear changes with irradiation and found to increase with the increase of the doses of gamma radiation. This postirradiation increase of the refractive index was interpreted in terms of the film density increase due to ionization and/or atomic displacements. Furthermore, the dispersion of the refractive index is discussed in terms of the Wemple-DiDomenico single oscillator model. The oscillator parameters, the single oscillator energy Eo, the dispersion energy E-d, the static refractive index no, average interband oscillator wavelength 2, and the average oscillator strength So, were estimated and revealed pronounced changes with irradiation. The observed changes in optical properties and single oscillator parameters clearly indicate the possibility of using Fe doped CdS thin films as a material for gamma radiation dosimeters (C
ردمد
:
1369-8001
اسم الدورية
:
MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING
المجلد
:
39
العدد
:
1
سنة النشر
:
1435 هـ
2015 م
نوع المقالة
:
مقالة علمية
تاريخ الاضافة على الموقع
:
Wednesday, August 16, 2017
الباحثون
اسم الباحث (عربي)
اسم الباحث (انجليزي)
نوع الباحث
المرتبة العلمية
البريد الالكتروني
J.H AI-Zahrani
AI-Zahrani, J.H
باحث
M El-Hagary
El-Hagary, M
باحث مشارك
دكتوراه
A El-Taher
El-Taher, A
باحث مشارك
دكتوراه
الملفات
اسم الملف
النوع
الوصف
42658.pdf
pdf
الرجوع إلى صفحة الأبحاث