تفاصيل الوثيقة

نوع الوثيقة : مقال في مجلة دورية 
عنوان الوثيقة :
Studies of photosensitivity and photo-induced negative differential resistance (NDR) of TIPS-pentacene-poly(3- hexyl)thiophene blend organic thin film transistor
Studies of photosensitivity and photo-induced negative differential resistance (NDR) of TIPS-pentacene-poly(3- hexyl)thiophene blend organic thin film transistor
 
الموضوع : physics 
لغة الوثيقة : الانجليزية 
المستخلص : We have simulated the experimental characteristics of the organic thin film transistor to reproduce the transfer and output characteristics in saturation regime. The photoresponse and gate field dependence of the charge transport characteristics of the TFTs were studied. The threshold voltage exhibited a positive shift from 0.34V in darkness to 5.18 V under illumination, which can be attributed to the wellknown photovoltaic effect resulting from the transport of photogenerated holes and trappings of photogenerated electrons near the source electrode in organic phototransistors. When white light irradiated the organic TFTs, a negative differential resistance (NDR) behavior appears in the saturation region of output characteristics. This NDR behavior in TFTs can be explained in terms of trappings and releasing mechanism of the mobile charges in the interface between the electrodes (source and drain) and the organic layer 
ردمد : 0379-6779 
اسم الدورية : SYNTHETIC METALS 
المجلد : 207 
العدد : 1 
سنة النشر : 1435 هـ
2015 م 
نوع المقالة : مقالة علمية 
تاريخ الاضافة على الموقع : Saturday, August 19, 2017 

الباحثون

اسم الباحث (عربي)اسم الباحث (انجليزي)نوع الباحثالمرتبة العلميةالبريد الالكتروني
S MansouriMansouri, S باحث رئيسيدكتوراهmansourislah@gmail.com
A JouiliJouili, A باحث مشاركدكتوراه 
A.A Al-Ghamdi,Al-Ghamdi, A.A باحث مشاركدكتوراه 
F YakuphanogluYakuphanoglu, F باحث مشاركدكتوراه 

الملفات

اسم الملفالنوعالوصف
 42688.pdf pdf 

الرجوع إلى صفحة الأبحاث