تفاصيل الوثيقة

نوع الوثيقة : مقال في مجلة دورية 
عنوان الوثيقة :
The electrical characteristics of thin film transistors with graphene oxide and organic insulators
The electrical characteristics of thin film transistors with graphene oxide and organic insulators
 
الموضوع : physics 
لغة الوثيقة : الانجليزية 
المستخلص : We have studied the electrical characteristics of nanographene oxide (n-GO) thin film transistor and n- GO organic thin film transistors with poly(methyl methacrylate) (PMMA) and poly-4-vinylphenol (PVP) as organic insulators. One of the alternate methods to prepare GO is achieved by oxidizing graphite via modified Hummers method. In this study, the GO was synthesized by a modified Hummers method. The graphene oxide thin films with PMMA and PVP were prepared by spin coating the precursor solution on a GO/SiO2 dielectrics bilayer. The graphene oxide thin film transistor was found to exhibit a high mobility of 0.375 cm(2)/V.s. This indicates that n-GO film has a more important effect to fabricate a high mobility n-GO thin film transistor than n-GO based thin film transistor with PMMA and PVP 
ردمد : 0379-6779 
اسم الدورية : SYNTHETIC METALS 
المجلد : 199 
العدد : 10 
سنة النشر : 1435 هـ
2015 م 
نوع المقالة : مقالة علمية 
تاريخ الاضافة على الموقع : Tuesday, August 22, 2017 

الباحثون

اسم الباحث (عربي)اسم الباحث (انجليزي)نوع الباحثالمرتبة العلميةالبريد الالكتروني
I KarterKarter, I باحث ibrahimkarteri@gmail.com
S KaratasKaratas, S باحث مشاركدكتوراه 
A.A Al-Ghamdi,Al-Ghamdi, A.A باحث مشاركدكتوراه 
F YakuphanogluYakuphanoglu, F باحث مشاركدكتوراه 

الملفات

اسم الملفالنوعالوصف
 42736.pdf pdf 

الرجوع إلى صفحة الأبحاث