تفاصيل الوثيقة

نوع الوثيقة : مقال في مجلة دورية 
عنوان الوثيقة :
Controlling the Performance of P-type Cu2O/SnO Bilayer Thin- Film Transistors by Adjusting the Thickness of the Copper Oxide Layer
Controlling the Performance of P-type Cu2O/SnO Bilayer Thin- Film Transistors by Adjusting the Thickness of the Copper Oxide Layer
 
الموضوع : physics 
لغة الوثيقة : الانجليزية 
المستخلص : The effect of copper oxide layer thickness on the performance of Cu2O/SnO bilayer thin-film transistors was investigated. By using sputtered Cu2O films produced at an oxygen partial pressure, O-pp, of 10% as the upper layer and 3% O-pp SnO films as the lower layer we built a matrix of bottom-gate Cu2O/SnO bilayer thin-film transistors of different thickness. We found that the thickness of the Cu2O layer is of major importance in oxidation of the SnO layer underneath. The thicker the Cu2O layer, the more the underlying SnO layer is oxidized, and, hence, the more transistor mobility is enhanced at a specific temperature. Both device performance and the annealing temperature required could be adjusted by controlling the thickness of each layer of Cu2O/SnO bilayer thin-film transistors 
ردمد : 0361-5235 
اسم الدورية : JOURNAL OF ELECTRONIC MATERIALS 
المجلد : 44 
العدد : 1 
سنة النشر : 1435 هـ
2015 م 
نوع المقالة : مقالة علمية 
تاريخ الاضافة على الموقع : Tuesday, August 22, 2017 

الباحثون

اسم الباحث (عربي)اسم الباحث (انجليزي)نوع الباحثالمرتبة العلميةالبريد الالكتروني
H.A Al-JawhariAl-Jawhari, H.A باحث رئيسيدكتوراهhaljawhari@kau.edu.sa
J.A (Caraveo-Frescas(Caraveo-Frescas, J.A باحث مشاركدكتوراه 
M.N HedhiliHedhili, M.N باحث مشاركدكتوراه 

الملفات

اسم الملفالنوعالوصف
 42738.pdf pdf 

الرجوع إلى صفحة الأبحاث